► 适用于低饱和场、低Hc磁性薄膜材料的磁性能研究，在电磁铁类的铁芯剩磁效应方面可以准确定出H=0的点，特别适用于铁磁/反铁磁界面的磁性钉扎效应研究，诸如钉扎型自旋阀薄膜、钉扎型磁性隧道结构的薄膜、AMR效应的玻莫合金磁性膜等；
► 由于设备中的检测线圈在不用时可以任意抬起而不占有效磁场的空间，从而可充分利用该设备的磁场作AMR、GMR、JMR等磁电阻特性测量；
► 此设备适用软磁薄膜的磁特性测量，作为研究生的测量实验，也可给学生提供MS、
s、Mr、Hc、Hs、Hd、等许多磁学概念，开阔学生的知识面。
技术指标：
1．直流磁场源：亥姆赫兹线圈或电磁铁可选；
2．Hmax(Oe)0～±400；
3．电磁铁磁场0.5T；
4．灵敏度（emu）3～40*10
；
5．扫描电源输出10A(5
),自动扫描或手动扫描；
6．音频电磁振动头，振动头三维调节。